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產(chǎn)品分類

Cassification

IGBT模塊

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英飛凌IGBT模塊FF400R06KE3

IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小

產(chǎn)品型號：FF400R06KE3
廠商性質(zhì)：經(jīng)銷商
更新時間：2024-01-19
訪問量：3959

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詳細介紹

北京京誠宏泰科技原裝正品現(xiàn)貨銷售英飛凌IGBT模塊FF400R06KE3

英飛凌600V 2單元IGBT模塊FF400R06KE3

北京京誠宏泰科技大量庫存原裝正品現(xiàn)貨當(dāng)天可發(fā)貨

集電極—射極擊穿電壓: 600 V

集電極—射極飽和電壓: 1.90 V

集電極zui大連續(xù)電流 Ic: 400 A

柵極—射極漏泄電流: 400 nA

典型應(yīng)用
大功率變流器
電機傳動
UPS系統(tǒng)
電氣特性
增加阻斷電壓至650V
提高工作結(jié)溫Tvjop
高短路能力，自限制短路電流

FF150R12KT3G
FF150R12YT3
FF150R12ME3G
FF150R12MS4G
FF200R12KE3
FF200R12KE4
FF200R12KS4
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FF200R12KT3
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FF200R12MT4
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FF300R12KE3
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