北京京誠宏泰科技原裝正品現貨銷售英飛凌IGBT模塊BSM300GA170DLC 

英飛凌單管IGBT模塊BSM300GA170DLC 

集電極—射極擊穿電壓: 1700 V

集電極—射極飽和電壓: 3.2 V

集電極zui大連續電流 Ic: 300 A

柵極—射極漏泄電流: 400 nA

功率耗散: 1.4 KW

封裝 / 箱體: IS5a ( 62 mm )

集電極—發射極zui大電壓 VCEO: 1200 V

柵極/發射極zui大電壓: 20 V

zui大工作溫度: + 125℃

zui小工作溫度: - 40℃

BSM200GA170DN2 200A/1700V/1U 
BSM300GA120DN2 300A/1200V/1U 
BSM300GA170DN2 300A/1700V/1U 
BSM400GA120DN2 400A/1200V/1U 
BSM400GA170DLC 400A/1700V/1U 
BSM200GA120DLC 200A/1200V/1U 
BSM200GA170DLC 200A/1700V/1U 
BSM300GA120DLC 300A/1200V/1U 
BSM300GA170DLC 300A/1700V/1U